Everspin推出(chū)的(dí)第一(yī)款(kuǎn)STT-MRAM
2018-05-03 11:25:38
Everspin最(zuì)新的(dí)MRAM技術是(shì)利(lì)用(yòng)自旋(xuán)扭矩傳輸特性，即利用極(jí)化電(diàn)流(liú)來控(kòng)製電子的(dí)自旋(xuán)，從而建立自由層的(dí)所(suǒ)需(xū)磁狀態(tài)，從而(ér)對存儲(chǔ)器(qì)陣列中的位進(jìn)行編程或(huò)寫入。
與Toggle MRAM相比，自旋轉矩MRAM或(huò)
STT-MRAM可顯(xiǎn)著(zhuó)降低開關能量，並具有高度可(kě)擴(kuò)展性，可實(shí)現更高(gāo)密度(dù)的存儲器產(chǎn)品。我(wǒ)們的第三代(dài)MRAM技(jì)術使(shǐ)用垂(chuí)直(zhí)MTJ。我(wǒ)們開(kāi)發了(liǎo)具有高垂直磁各向異(yì)性(xìng)的材(cái)料和垂直MTJ堆(duī)疊(dié)設(shè)計，可提(tí)供長數(shù)據保持率，小單元(yuán)尺寸(cùn)，更高(gāo)密度(dù)，高耐(nài)用(yòng)性(xìng)和低(dī)功耗(hào)。
Everspin推出的第一款(kuǎn)STT-MRAM產(chǎn)品(pǐn)采用ST-DDR3，這是一種(zhǒng)類似(sì)JEDEC的(dí)DDR3接口，並需要(yào)進行一些修(xiū)改(gǎi)以充(chōng)分利用(yòng)MRAM技(jì)術(shù)的持久(jiǔ)性(xìng)。這(zhè)些產(chǎn)品的性能如(rú)同(tóng)持(chí)久性(xìng)DRAM，但無需(xū)刷(shuā)新。其他(tā)產品計劃將(jiāng)利(lì)用高速串行(háng)接口(kǒu)用(yòng)於(yú)各種(zhǒng)嵌入(rù)式應用(yòng)。
本文關鍵(jiàn)詞：
STT-MRAM
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英尚(shàng)微(wēi)電子(zǐ)中國區指(zhǐ)定(dìng)的(dí)授(shòu)權(quán)代(dài)理(lǐ)：VTI，NETSOL，JSC濟(jì)州半導(dǎo)體(tǐ)(EMLSI)，Everspin ，IPSILOG，LYONTEK，ISSI，CYPRESS，ISOCOME，PARAGON，SINOCHIP，UNIIC； 著(zhù)名半(bàn)導(dǎo)體品牌(pái)的專業(yè)分銷(xiāo)商 如(rú)：RAMTROM，ETRON，FUJITSU，LYONTEK，WILLSEMI。
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