EverSpin的技(jì)術(shù)是領先(xiān)的開發(fā)商和(hé)磁(cí)性(xìng)RAM（MRAM）製造商，提供獨(dú)立(lì)和嵌入式(shì)MRAM產(chǎn)品(pǐn)。作為(wéi)世界上第(dì)一個(gè)量MRAM的(dí)供應商(shāng)，EverSpin的已確(què)立了自(zì)己的“MRAM公(gōng)司”擁有超過(guò)600項(xiàng)專利和應(yīng)用(yòng)，其(qí)中許(xǔ)多(duō)是根本和MRAM技術(shù)必不可少(shǎo)的(dí)知識(shí)產權組(zǔ)合。今(jīn)天(tiān)EverSpin的MRAM交(jiāo)付(fù)產(chǎn)品(pǐn)在(zài)數(shù)據中(zhōng)心和存(cún)儲，能源和(hé)基礎(chǔ)設(shè)施，以(yǐ)及(jí)汽車和交(jiāo)通運輸市(shì)場廣泛應用，並期(qī)望成為ST-MRAM的(dí)業(yè)界(jiè)首款(kuǎn)量(liáng)的供應商。

Everspin並行接口256kb~16Mb磁性(xìng)存儲(chǔ)器，具有(yǒu)快(kuài)速(sù)（35ns），非易失(shī)性(xìng)，無限次讀(dú)寫(xiě)的(dí)特性，可完(wán)全(quán)替(tì)代(dài)SRAM，FRAM。對(duì)於必(bì)須永久保存，快速恢(huī)復重要(yào)數(shù)據(jù)和(hé)程序的(dí)應(yīng)用(yòng)，MRAM存儲器是(shì)理想的(dí)存儲器方(fāng)案。

以下(xià)是Everspin並(bìng)行接(jiē)口(kǒu)256kb~16Mb磁性存(cún)儲器(qì)的(dí)型(xíng)號(hào)參考：

Density	Org.	Part Number	Pkg.	Voltage	Temp
16Mb	1Mx16	MR4A16BYS35	54-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCYS35	54-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	1Mx16	MR4A16BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
16Mb	2Mx8	MR4A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	256Kx16	MR2A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	256Kx16	MR2A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +105℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40 ℃to +125℃
4Mb	512Kx8	MR2A08AMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
4Mb	512Kx8	MR2A08ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +105℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AMA35	48-BGA	3.3V	0 ℃to +70℃
1Mb	64Kx16	MR0A16ACMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	64Kx16	MR0A16AVMA35	48-BGA	3.3V	-40 to +105C
1Mb	64Kx16	MR0A16AMYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +125℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCYS35	44-TSOP	3.3V	-40℃ to +85℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
1Mb	128Kx8	MR0A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BYS35	44-TSOP	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BMA35	48-BGA	3.3V	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256D08BMA45	48-BGA	3.3VDD, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256DL08BMA45	48-BGA	2.7VDD min, 1.8IO	0℃ to +70℃
256Kb	32Kx8	MR256A08BCMA35	48-BGA	3.3V	-40℃ to +85℃

本文關鍵(jiàn)詞(cí)：並(bìng)行接(jiē)口MRAM

相關文章：Everspin科(kē)技公(gōng)司(sī)MR0A08B裸片

---