我(wǒ)國將量產(chǎn)首批32層三維NAND閃存芯(xīn)片(piàn)
2018-04-18 11:31:22
位(wèi)於(yú)武(wǔ)漢“中國光(guāng)穀”的國家存儲器(qì)基地項(xiàng)目(mù)芯片(piàn)生產機台(tái)在(zài)本月11日正式進(jìn)場(cháng)安裝(zhuāng)，這象征(zhēng)著(zhuó)國家存(cún)儲器(qì)基(jī)地從(cóng)廠(chǎng)房建設階(jiē)段(duàn)進(jìn)入量(liáng)產準備(bèi)階(jiē)段，我國(guó)第(dì)一(yī)批擁有完(wán)全自(zì)主知(zhī)識產權的(dí)32層三維(wéi)NAND閃存芯片(piàn)將於今年(nián)內量產(chǎn)，填補我國主流(liú)存(cún)儲(chǔ)器空白領域。
現在我國通(tōng)用(yòng)的(dí)存儲器基本全部都依靠進口，國家存儲器基地(dì)在(zài)去年成功研(yán)發我國(guó)首顆32層三維NAND閃存芯片。這顆(kē)耗資10億美元，由一(yī)千人的團(tuán)隊(duì)耗費(fèi)２年(nián)自主研(yán)發的(dí)芯片(piàn)，這(zhè)是(shì)我國(guó)在製造(zào)工藝(yì)上(shàng)與(yǔ)國(guó)際(jì)高(gāo)端水平(píng)最(zuì)接近(jìn)的(dí)主(zhǔ)流(liú)芯片，這(zhè)也(yě)許(xǔ)會讓我(wǒ)國(guó)進(jìn)入全球(qiú)存(cún)儲芯片第(dì)一(yī)梯(tī)隊，強(qiáng)力提高(gāo)“中(zhōng)國芯”在(zài)國際市(shì)場的(dí)地位。
據了解，國家(jiā)存儲(chǔ)器基(jī)地項(xiàng)目在2016年(nián)由紫光集團聯合國家(jiā)集(jí)成(chéng)電路產(chǎn)業投資(zī)基金(jīn)，湖北(běi)集成電路產業投資(zī)基(jī)金(jīn)，湖北(běi)科(kē)投(tóu)共同(tóng)投資(zī)建(jiàn)設，總投資高(gāo)達240億(yì)美(měi)元(yuán)，預計(jì)項目(mù)一期(qī)總(zǒng)產能(néng)將達到30萬片／月(yuè)，年產(chǎn)值將超過100億美元。
據悉(xī)，今年(nián)10月設備將(jiāng)點(diǎn)亮投產，預(yù)計2019年底(dǐ)64層(céng)閃存產(chǎn)品(pǐn)將達(dá)到(dào)爬(pá)坡(pō)量(liáng)產。未(wèi)來十年(nián)，紫光(guāng)集團(tuán)計劃至少還將投(tóu)資(zī)1000億(yì)美元，相(xiāng)當於(yú)平均每年投(tóu)入100億(yì)美元，進(jìn)一步(bù)追(zhuī)趕上我國在(zài)高端芯片領(lǐng)域與(yǔ)先進(jìn)國家的距(jù)離。
本(běn)文關鍵(jiàn)詞：
NAND閃(shǎn)存芯片
相(xiāng)關文章(zhāng)：
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