MRAM存儲芯片（磁阻隨機存取存儲器）結合了SRAM的高速讀寫與閃存的非易失性兩大特點。Everspin作為全球領先的MRAM存儲芯片供應商，推出的并行接口MRAM產品——MR0D08B，正逐步成為替代傳統(tǒng)SRAM、EEPROM、閃存以及電池供電SRAM（BBSRAM）的理想選擇。

 

　　Everspin 8位/16位并行接口存儲芯片與SRAM兼容，具有35/45ns訪問時序和無限耐久性。數(shù)據(jù)在超過20年的時間內不會發(fā)生變化。Everspin MRAM存儲芯片的低壓抑制電路會在斷電時自動保護數(shù)據(jù)，防止電壓超出規(guī)格時寫入數(shù)據(jù)。Everspin MRAM存儲芯片MR0D08B是應用的理想存儲器解決方案必須永久存儲和快速檢索關鍵數(shù)據(jù)和程序。MR0D08B在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數(shù)據(jù)存儲。該產品提供商用溫度(0至+70°c)。

 

　　Everspin并行接口MRAM存儲芯片特征

 

　　①MR0D08B是雙電源(VDDQ)1Mb x8并行接口MRAM

 

　　②MRAM存儲芯片容量大小：1Mb

 

　　③MRAM存儲芯片工作電壓：3.3v

 

　　④I/O電壓范圍支持+1.65至+3.6伏的寬接口

 

　　⑤快速45 ns讀/寫周期

 

　　⑥斷電時保留數(shù)據(jù)

 

　　⑦數(shù)據(jù)非易失性，可保留20年

 

　　⑧SRAM兼容時序

 

　　⑨無限的讀寫耐久性

 

　　⑩符合RoHS標準的小尺寸BGA封裝

 

　　?MRAM存儲芯片更簡單、更高效的設計

 

　　?通過替換電池支持的SRAM提高可靠性

 

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