MRAM存儲(chǔ)芯片（磁(cí)阻(zǔ)隨機(jī)存(cún)取存(cún)儲器(qì)）結(jié)合(hé)了SRAM的(dí)高速讀寫與(yǔ)閃存的非(fēi)易失性兩(liǎng)大特點(diǎn)。Everspin作為(wéi)全(quán)球(qiú)領先的(dí)MRAM存儲(chǔ)芯片供(gōng)應商，推出的並(bìng)行接(jiē)口MRAM產(chǎn)品(pǐn)——MR0D08B，正(zhèng)逐(zhú)步成(chéng)為替代傳統SRAM，EEPROM，閃存以(yǐ)及(jí)電池供(gōng)電SRAM（BBSRAM）的理(lǐ)想選(xuǎn)擇。

 

　　Everspin 8位/16位並(bìng)行接(jiē)口存(cún)儲(chǔ)芯片與SRAM兼容，具(jù)有35/45ns訪問時(shí)序和無限(xiàn)耐久性。數(shù)據(jù)在超過(guò)20年的時(shí)間內(nèi)不(bù)會(huì)發(fā)生(shēng)變化。Everspin MRAM存儲(chǔ)芯片(piàn)的(dí)低(dī)壓(yā)抑製(zhì)電(diàn)路會在斷電時自動(dòng)保護(hù)數據，防止(zhǐ)電壓(yā)超出(chū)規格時寫入數據(jù)。Everspin MRAM存(cún)儲芯片MR0D08B是(shì)應用的(dí)理想存儲(chǔ)器解決(jué)方案必(bì)須永久(jiǔ)存(cún)儲和快速檢(jiǎn)索關(guān)鍵(jiàn)數據(jù)和程(chéng)序。MR0D08B在很(hěn)寬的溫度範圍(wéi)內(nèi)提供(gōng)高度可靠的數據(jù)存(cún)儲(chǔ)。該(gāi)產品提供商用溫(wēn)度(dù)(0至(zhì)+70°c)。

 

　　Everspin並(bìng)行接口MRAM存儲芯片特(tè)征

 

　　①MR0D08B是雙電源(yuán)(VDDQ)1Mb x8並(bìng)行接口MRAM

 

　　②MRAM存儲(chǔ)芯片容(róng)量(liáng)大小(xiǎo)：1Mb

 

　　③MRAM存(cún)儲(chǔ)芯片(piàn)工作電壓：3.3v

 

　　④I/O電(diàn)壓範圍支持+1.65至(zhì)+3.6伏的寬(kuān)接口(kǒu)

 

　　⑤快速(sù)45 ns讀(dú)/寫周期

 

　　⑥斷電(diàn)時保留數(shù)據

 

　　⑦數(shù)據非易失性，可保留20年

 

　　⑧SRAM兼容時序

 

　　⑨無限的(dí)讀(dú)寫耐(nài)久性(xìng)

 

　　⑩符合(hé)RoHS標(biāo)準的(dí)小尺寸(cùn)BGA封裝

 

　　⑪MRAM存(cún)儲(chǔ)芯(xīn)片(piàn)更簡單(dān)，更高效(xiào)的(dí)設計

 

　　⑫通(tōng)過替(tì)換電池(chí)支(zhī)持的SRAM提高可靠性

 

上(shàng)一(yī)篇文章(zhāng)：Etron低功耗DDR2 SDRAM內(nèi)存(cún)芯(xīn)片(piàn)EM68916CBQE

深(shēn)圳市英尚(shàng)微電子(zǐ)有(yǒu)限公(gōng)司(sī)是(shì)一家(jiā)專業的靜(jìng)態隨(suí)機(jī)記(jì)憶體(tǐ)產品及(jí)方(fāng)案(àn)提(tí)供商，十年(nián)來專(zhuān)業致(zhì)力(lì)代(dài)理(lǐ)分銷存儲(chǔ)芯(xīn)片IC, SRAM，MRAM，pSRAM， FLASH芯(xīn)片，SDRAM（DDR1/DDR2/DDR3）等,為客人提供性(xìng)價比更高的(dí)產品及方案。
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