Everspin MRAM是一種具有革(gé)命性的(dí)存儲器(qì),其原(yuán)理是(shì)利用電(diàn)子(zǐ)自旋(xuán)的磁性(xìng)結構(gòu),來提(tí)供不會產(chǎn)生損耗的非揮發特(tè)性(xìng)。Everspin MRAM可(kě)在(zài)集(jí)成(chéng)了矽(guī)電(diàn)路的磁(cí)性(xìng)材料(liào)中存儲信(xìn)息,以(yǐ)在單(dān)一(yī),可無限(xiàn)使用的(dí)組(zǔ)件(jiàn)中(zhōng)提(tí)供SRAM的(dí)速度以及閃存的(dí)非揮(huī)發(fā)特(tè)性。Everspin是(shì)從(cóng)飛(fēi)思(sī)卡(qiǎ)爾半(bàn)導體公司(sī)分(fēn)離出來的一(yī)家獨立公司(sī)。2006年,Everspin推(tuī)出業界(jiè)第(dì)一(yī)款商(shāng)業(yè)化MRAM產品(pǐn)。今日,Everspin MRAM已(yǐ)廣泛用在數(shù)據存儲,工業自(zì)動化(huà),遊戲,能源管(guǎn)理,通訊,運輸,和航空電(diàn)子領(lǐng)域(yù)。
Everspin MR10Q01允(yǔn)許對存儲(chǔ)器(qì)進行(háng)隨(suí)機(jī)讀寫(xiě)操作,而且沒(méi)有寫(xiě)入延遲。適(shì)合(hé)於(yú)必須通過一(yī)小部分I/O引腳快速存儲(chǔ)數(shù)據(jù)和程(chéng)序(xù)的應(yīng)用。 不(bù)僅在讀寫(xiě)耐久(jiǔ)性(xìng)方麵(miàn)表(biǎo)現(xiàn)出色,而且(qiě)還擁有與串行(háng)EEPROM和串行閃存兼容的讀/寫(xiě)時序,並且沒有寫入延遲。
| Density |
Part Number |
VDD |
VDDQ |
Speed |
Temp Rating |
Pack/Ship |
Package |
PDF下(xià)載(zǎi) |
| 1Mb |
MR10Q010SC |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
16-SOIC |
暫無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010SCR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
暫無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010CSC |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
16-SOIC |
暫(zàn)無 |
| 1Mb |
MR10Q010CSCR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
16-SOIC |
暫(zàn)無 |
| 1Mb |
MR10Q010MB |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tray |
24-BGA |
暫(zàn)無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010MBR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Commercial |
Tape & Reel |
24-BGA |
暫無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010CMB |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tray |
24-BGA |
暫無 |
| 1Mb |
MR10Q010CMBR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Industrial |
Tape & Reel |
24-BGA |
暫無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010VMB |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Extended |
Tray |
24-BGA |
暫無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010VMBR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Extended |
Tape & Reel |
24-BGA |
暫無 |
| 1Mb |
MR10Q010VSC |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Extended |
Tray |
16-SOIC |
暫無(wú) |
| 1Mb |
MR10Q010VSCR |
3.3v |
1.8 |
40MHz/104MHz |
Extended |
Tape & Reel |
16-SOIC |
暫無(wú) |
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