Everspin MRAM是一種(zhǒng)具有(yǒu)革命性的存(cún)儲器(qì)，其(qí)原(yuán)理(lǐ)是(shì)利(lì)用電(diàn)子(zǐ)自(zì)旋(xuán)的(dí)磁(cí)性結構，來(lái)提供不(bù)會產生損耗的非(fēi)揮(huī)發(fā)特(tè)性。Everspin MRAM可(kě)在集成(chéng)了矽電(diàn)路(lù)的磁性材料中(zhōng)存儲信(xìn)息(xī)，以(yǐ)在(zài)單(dān)一，可無限使用的組(zǔ)件中提(tí)供(gōng)SRAM的速度(dù)以及閃存的非(fēi)揮發特性。Everspin是(shì)從(cóng)飛思(sī)卡爾(ěr)半導(dǎo)體公司分(fēn)離出來(lái)的(dí)一家獨(dú)立(lì)公(gōng)司(sī)。2006年(nián)，Everspin推(tuī)出業界第(dì)一款商(shāng)業化MRAM產(chǎn)品。今日(rì)，Everspin MRAM已廣(guǎng)泛用(yòng)在(zài)數據存(cún)儲(chǔ)，工(gōng)業自動化(huà)，遊戲，能源管(guǎn)理，通(tōng)訊，運輸，和(hé)航(háng)空電子領域(yù)。
Everspin Technologies MR25H256 / MR25H10 / MR25H40 SPI串(chuàn)行MRAM具有兼容(róng)串(chuàn)行EEPROM和(hé)串(chuàn)行閃(shǎn)存的讀(dú)/寫時序，沒有寫入延遲，而(ér)且耐(nài)讀/寫能力出色。與(yǔ)其他串(chuàn)行(háng)存儲器(qì)不(bù)同(tóng)，這些(xiē)存(cún)儲器(qì)的讀/寫(xiě)操(cāo)作可(kě)以(yǐ)是(shì)隨機的，而且(qiě)沒(méi)有寫入(rù)延遲。 采用(yòng)5 mm x 6 mm 8引腳DFN封(fēng)裝或5 mm x 6 mm 8引腳(jiǎo)DFN Small Flag封裝，並且都與 閃(shǎn)存 ， 串行(háng)EEPROM和FeRAM產品(pǐn)兼(jiān)容。
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Everspin MRAM是一種(zhǒng)具有(yǒu)革命性的存(cún)儲器(qì)，其(qí)原(yuán)理(lǐ)是(shì)利(lì)用電(diàn)子(zǐ)自(zì)旋(xuán)的(dí)磁(cí)性結構，來(lái)提供不(bù)會產生損耗的非(fēi)揮(huī)發(fā)特(tè)性。Everspin MRAM可(kě)在集成(chéng)了矽電(diàn)路(lù)的磁性材料中(zhōng)存儲信(xìn)息(xī)，以(yǐ)在(zài)單(dān)一，可無限使用的組(zǔ)件中提(tí)供(gōng)SRAM的速度(dù)以及閃存的非(fēi)揮發特性。Everspin是(shì)從(cóng)飛思(sī)卡爾(ěr)半導(dǎo)體公司分(fēn)離出來(lái)的(dí)一家獨(dú)立(lì)公(gōng)司(sī)。2006年(nián)，Everspin推(tuī)出業界第(dì)一款商(shāng)業化MRAM產(chǎn)品。今日(rì)，Everspin MRAM已廣(guǎng)泛用(yòng)在(zài)數據存(cún)儲(chǔ)，工(gōng)業自動化(huà)，遊戲，能源管(guǎn)理，通(tōng)訊，運輸，和(hé)航(háng)空電子領域(yù)。